AMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor| Қисми рақамӣ | FDB3860 | Истеҳсолкунанда | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Тавсифи | MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK | Статуси ройгони ройгон / Статуси RoHS | Пешниҳоди ройгони / РОҲИ РОҲИ ҶАВОН |
| Миқдори кам | 4528 pcs stock | Рӯйхат | FDB3860.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) | Гирифтани дастгоҳи дастгоҳ | TO-263AB |
| Силсила | PowerTrench® | Rds Дар (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 5.9A, 10V |
| Дисплей Power (Max) | 3.1W (Ta), 71W (Tc) | Пурра | Tape & Reel (TR) |
| Пакети / Кадом | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Дигар номҳо | FDB3860TR |
| Ҳарорат | -55°C ~ 150°C (TJ) | Навъи таваллуд | Surface Mount |
| Сатҳи норасоии нуриҳо (MSL) | 1 (Unlimited) | Статуси ройгони ройгон / Статуси RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Қобилияти воридшавӣ (шиша) (Max) @ Vds | 1740pF @ 50V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Навъи FET | N-Channel | Feature FET | - |
| Voltage Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Таҳвил ба Voltage Source (Vdss) | 100V |
| Тавсифи муфассал | N-Channel 100V 6.4A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount TO-263AB | Акнун - Резиши доимӣ (ном) @ 25 ° C | 6.4A (Ta), 30A (Tc) |
| ФЕДЕКС | www.FedEx.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
| ИПҶ - ИТТИҲОДИ ПОЧТАИ ҶАҲОНИ | www.UPS.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
| Тротил | www.TNT.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
