AMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor| Қисми рақамӣ | FDD1600N10ALZD | Истеҳсолкунанда | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Тавсифи | MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L | Статуси ройгони ройгон / Статуси RoHS | Пешниҳоди ройгони / РОҲИ РОҲИ ҶАВОН |
| Миқдори кам | 119109 pcs stock | Рӯйхат | FDD1600N10ALZD.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) | Гирифтани дастгоҳи дастгоҳ | TO-252-5 |
| Силсила | PowerTrench® | Rds Дар (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Дисплей Power (Max) | 14.9W (Tc) | Пурра | Cut Tape (CT) |
| Пакети / Кадом | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | Дигар номҳо | FDD1600N10ALZDCT |
| Ҳарорат | -55°C ~ 150°C (TJ) | Навъи таваллуд | Surface Mount |
| Сатҳи норасоии нуриҳо (MSL) | 1 (Unlimited) | Вақти пешравии истеҳсолкунанда | 11 Weeks |
| Статуси ройгони ройгон / Статуси RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Қобилияти воридшавӣ (шиша) (Max) @ Vds | 225pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.61nC @ 10V | Навъи FET | N-Channel |
| Feature FET | - | Voltage Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Таҳвил ба Voltage Source (Vdss) | 100V | Тавсифи муфассал | N-Channel 100V 6.8A (Tc) 14.9W (Tc) Surface Mount TO-252-5 |
| Акнун - Резиши доимӣ (ном) @ 25 ° C | 6.8A (Tc) | ||
| ФЕДЕКС | www.FedEx.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
| ИПҶ - ИТТИҲОДИ ПОЧТАИ ҶАҲОНИ | www.UPS.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
| Тротил | www.TNT.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
