AMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor| Қисми рақамӣ | FQB22P10TM | Истеҳсолкунанда | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Тавсифи | MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK | Статуси ройгони ройгон / Статуси RoHS | Пешниҳоди ройгони / РОҲИ РОҲИ ҶАВОН |
| Миқдори кам | 79844 pcs stock | Рӯйхат | FQB22P10TM.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) | Гирифтани дастгоҳи дастгоҳ | D²PAK (TO-263AB) |
| Силсила | QFET® | Rds Дар (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 11A, 10V |
| Дисплей Power (Max) | 3.75W (Ta), 125W (Tc) | Пурра | Cut Tape (CT) |
| Пакети / Кадом | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Дигар номҳо | FQB22P10TMCT |
| Ҳарорат | -55°C ~ 175°C (TJ) | Навъи таваллуд | Surface Mount |
| Сатҳи норасоии нуриҳо (MSL) | 1 (Unlimited) | Вақти пешравии истеҳсолкунанда | 15 Weeks |
| Статуси ройгони ройгон / Статуси RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Қобилияти воридшавӣ (шиша) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V | Навъи FET | P-Channel |
| Feature FET | - | Voltage Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Таҳвил ба Voltage Source (Vdss) | 100V | Тавсифи муфассал | P-Channel 100V 22A (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Акнун - Резиши доимӣ (ном) @ 25 ° C | 22A (Tc) | ||
| ФЕДЕКС | www.FedEx.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
| ИПҶ - ИТТИҲОДИ ПОЧТАИ ҶАҲОНИ | www.UPS.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
| Тротил | www.TNT.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
