AMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor| Қисми рақамӣ | FQB2N80TM | Истеҳсолкунанда | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Тавсифи | MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK | Статуси ройгони ройгон / Статуси RoHS | Пешниҳоди ройгони / РОҲИ РОҲИ ҶАВОН |
| Миқдори кам | 5335 pcs stock | Рӯйхат | FQB2N80TM.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) | Гирифтани дастгоҳи дастгоҳ | D²PAK (TO-263AB) |
| Силсила | QFET® | Rds Дар (Max) @ Id, Vgs | 6.3 Ohm @ 900mA, 10V |
| Дисплей Power (Max) | 3.13W (Ta), 85W (Tc) | Пурра | Tape & Reel (TR) |
| Пакети / Кадом | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Ҳарорат | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Навъи таваллуд | Surface Mount | Сатҳи норасоии нуриҳо (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статуси ройгони ройгон / Статуси RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Қобилияти воридшавӣ (шиша) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V | Навъи FET | N-Channel |
| Feature FET | - | Voltage Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Таҳвил ба Voltage Source (Vdss) | 800V | Тавсифи муфассал | N-Channel 800V 2.4A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Акнун - Резиши доимӣ (ном) @ 25 ° C | 2.4A (Tc) | ||
| ФЕДЕКС | www.FedEx.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
| ИПҶ - ИТТИҲОДИ ПОЧТАИ ҶАҲОНИ | www.UPS.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
| Тротил | www.TNT.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
