AMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor| Қисми рақамӣ | FQP10N20 | Истеҳсолкунанда | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Тавсифи | MOSFET N-CH 200V 10A TO-220 | Статуси ройгони ройгон / Статуси RoHS | Пешниҳоди ройгони / РОҲИ РОҲИ ҶАВОН |
| Миқдори кам | 5188 pcs stock | Рӯйхат | 1.FQP10N20.pdf2.FQP10N20.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) | Гирифтани дастгоҳи дастгоҳ | TO-220-3 |
| Силсила | QFET® | Rds Дар (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 5A, 10V |
| Дисплей Power (Max) | 87W (Tc) | Пурра | Tube |
| Пакети / Кадом | TO-220-3 | Ҳарорат | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Навъи таваллуд | Through Hole | Сатҳи норасоии нуриҳо (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статуси ройгони ройгон / Статуси RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Қобилияти воридшавӣ (шиша) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V | Навъи FET | N-Channel |
| Feature FET | - | Voltage Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Таҳвил ба Voltage Source (Vdss) | 200V | Тавсифи муфассал | N-Channel 200V 10A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Акнун - Резиши доимӣ (ном) @ 25 ° C | 10A (Tc) | ||
| ФЕДЕКС | www.FedEx.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
| ИПҶ - ИТТИҲОДИ ПОЧТАИ ҶАҲОНИ | www.UPS.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
| Тротил | www.TNT.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
