Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Қисми рақамӣ | TK25N60X,S1F | Истеҳсолкунанда | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Тавсифи | MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 | Статуси ройгони ройгон / Статуси RoHS | Пешниҳоди ройгони / РОҲИ РОҲИ ҶАВОН |
| Миқдори кам | 34618 pcs stock | Рӯйхат | TK25N60X,S1F.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA | Vgs (Max) | ±30V |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) | Гирифтани дастгоҳи дастгоҳ | TO-247 |
| Силсила | DTMOSIV-H | Rds Дар (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Дисплей Power (Max) | 180W (Tc) | Пурра | Tube |
| Пакети / Кадом | TO-247-3 | Дигар номҳо | TK25N60X,S1F(S TK25N60XS1F |
| Ҳарорат | 150°C (TJ) | Навъи таваллуд | Through Hole |
| Сатҳи норасоии нуриҳо (MSL) | 1 (Unlimited) | Статуси ройгони ройгон / Статуси RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Қобилияти воридшавӣ (шиша) (Max) @ Vds | 2400pF @ 300V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Навъи FET | N-Channel | Feature FET | - |
| Voltage Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Таҳвил ба Voltage Source (Vdss) | 600V |
| Тавсифи муфассал | N-Channel 600V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-247 | Акнун - Резиши доимӣ (ном) @ 25 ° C | 25A (Ta) |
| ФЕДЕКС | www.FedEx.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
| ИПҶ - ИТТИҲОДИ ПОЧТАИ ҶАҲОНИ | www.UPS.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
| Тротил | www.TNT.com | Аз 35,00 доллар ҳаққи асосии интиқол аз минтақа ва кишвар вобаста аст. |
